・ 独自技術で構成された、最先端半導体製造装置を有する共用パイロットラインを国内で初めて構築 共用可能なプロセスで、最先端ロジック半導体で使用されるゲートオールアラウンド ...

2025年(今年)は「FET(Field Effect Transistor: 電界効果トランジスタ)」が誕生してから100周年に当たるという。トランジスタと言えば、1947年12月に通称「ベル研」、厳密には「ベル電話研究所(BTL: Bell ...

300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発 ...

産総研が確立した標準的なトランジスタ試作条件をもとに、国内企業や大学などが独自のプロセス技術開発を行い本パイロットラインにおける試作を実施することにより、独自プロセスを適用した最先端トランジスタ構造の性能面での良否を評価することが可能となります（概要図）。

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）助成事業の元、国内半導体製造 ...